Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.

Sonuçlar: 6
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Paket / Kasa Montaj Stili Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı Maksimum Kapı Verici Voltajı 25 C'de Sürekli Kollektör Akımı Pd - Güç Dağılımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Seri Paketleme
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked 815Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked 167Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-264 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 170 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp 370Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp 1Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked 300Fabrika Stokları Mevcut
Min.: 300
Çoklu.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 190 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 27 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

Si TO-247AD Through Hole 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube