CoolSiC™ 650V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 Silicon Carbide MOSFETs leverage silicon carbide's performance capabilities by enabling lower energy loss, which translates into higher efficiency during power conversion. Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETs provide benefits for various power semiconductor applications like photovoltaics, energy storage, DC EV charging, motor drives, and industrial power supplies. A DC fast charging station for electric vehicles equipped with CoolSiC G2 allows for up to 10% less power loss than previous generations while enabling higher charging capacity without compromising form factors.

Sonuçlar: 53
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
258Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
447Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
624Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Veri Sayfası
1.048Stokta Var
1.800Beklenen 20.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Veri Sayfası
1.676Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.627Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.783Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
682Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.960Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.868Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Veri Sayfası
348Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
480Stokta Var
240Beklenen 5.03.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Veri Sayfası
380Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
394Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Veri Sayfası
243Stokta Var
480Beklenen 16.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.063Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
361Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
136Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Veri Sayfası
262Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Veri Sayfası
299Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
343Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
333Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
276Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
122Stokta Var
240Beklenen 20.08.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.996Beklenen 3.02.2027
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC