CoolSiC™ 650V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 Silicon Carbide MOSFETs leverage silicon carbide's performance capabilities by enabling lower energy loss, which translates into higher efficiency during power conversion. Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETs provide benefits for various power semiconductor applications like photovoltaics, energy storage, DC EV charging, motor drives, and industrial power supplies. A DC fast charging station for electric vehicles equipped with CoolSiC G2 allows for up to 10% less power loss than previous generations while enabling higher charging capacity without compromising form factors.

Sonuçlar: 53
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
3.999Beklenen 9.07.2026
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.680Beklenen 18.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Veri Sayfası
6.960Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC