Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NVH4L060N065SC1

Name: onsemi NVH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L060N065SC1
Price: 14.65 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NVH4L060N065SC1

Ürt. Numarası:

NVH4L060N065SC1

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Veri Sayfası:

NVH4L060N065SC1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NVH4L060N065SC1 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	47 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	70 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.3 V
Qg - Kapı Şarjı:	74 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	176 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	11 ns
İleri İletkenlik - Min:	12 S
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	14 ns
Seri:	NVH4L060N065SC1
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	24 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	11 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NVH4L060N065SC1 Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: İsviçre
Montaj Ülkesi:: Çin
Dağıtım Ülkesi:: Kore Cumhuriyeti

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).