Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Ayrık Yarı İletken Çeşitleri
Kategori görünümünü değiştir
Sonuçlar: 103
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS Ürün Tipi
Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
IXYS MOSFET'ler 86 Amps 200V 29 Rds
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 23 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET'ler TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 23 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET'ler 96 Amps 250V 36 Rds
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 23 Hafta
Min.: 300
Çoklu.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3