QH12TZ600Q

Name: Power Integrations QH12TZ600Q
Brand: Power Integrations
SKU: 869-QH12TZ600Q
Price: 1.06 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

869-QH12TZ600Q

Ürt. Numarası:

QH12TZ600Q

Ürt.:

Power Integrations

Açıklama:

Doğrultucular AEC-Q101 600V, 12A, Super-Low Qrr, Rectifier

Veri Sayfası:

QH12TZ600Q Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Power Integrations QH12TZ600Q hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Power Integrations
Ürün Kategorisi:	Doğrultucular
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
If - İleri Akım:	12 A
Tip:	Fast Recovery Rectifiers
Yapılandırma:	Single
Vf - İleri Voltaj:	2.65 V
Maksimum Dalgalanma Akımı:	350 A
IR - Ters Akım:	250 uA
Kurtarma Süresi:	11.6 ns
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Seri:	Qspeed-H
Vasıf:	AEC-Q101
Paketleme:	Tube
Marka:	Power Integrations
Ürün:	Rectifiers
Ürün Tipi:	Rectifiers
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Ticari Unvan:	Qspeed

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

QH12TZ600Q Veri Sayfası (PDF)

COC-REACH (PDF)

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

600V Qspeed Silicon Diode

Power Integrations 600V Qspeed Silicon Diode is designed to replace SiC diodes for efficient performance in high switching frequency applications. The 0.35-micron technology of the Qspeed diode improves performance and gives predictable results. This diode features low Q_RR of any 600V silicon diode, low I_RRM, low t_RR, and soft recovery. The Qspeed silicon diode is AEC-Q1011 qualified, combines both a Schottky and PiN junction in the same device, and is ideal for automotive applications.