π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

Sonuçlar: 11
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Veri Sayfası
3.224Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
Veri Sayfası
3.221Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
Veri Sayfası
13Stokta Var
150Beklenen 2.03.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Veri Sayfası
64Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET'ler TO252 900V 2A N-CH MOSFET
Veri Sayfası
2.125Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Veri Sayfası
40Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET'ler Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ
Veri Sayfası
290Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
Veri Sayfası
159Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
Veri Sayfası
202Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Veri Sayfası
72Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET'ler PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
Veri Sayfası
313Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube