STD80N240K6

STMicroelectronics
511-STD80N240K6
STD80N240K6

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 364

Stok:
364
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
2.500
Beklenen 17.08.2026
Fabrika Teslim Süresi:
13
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
4,45 € 4,45 €
3,26 € 32,60 €
2,63 € 263,00 €
2,34 € 1.170,00 €
2,00 € 2.000,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
2,00 € 5.000,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
105 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Ürün Tipi: MOSFETs
Fabrika Paket Miktarı: 2500
Alt kategori:: Transistors
Birim Ağırlık: 330 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 Power MOSFET offers an excellent RDS(on) x area and a low total gate charge (Qg), enabling high switching speeds and low losses. An integrated ESD protection diode increases the overall ruggedness of the STD80N240K6 MOSFET up to Human Body Model (HBM) Class 2. The MDmesh K6 MOSFETs have a reduced threshold voltage compared with the previous MDmesh K5 generation, enabling a lower driving voltage and thus reducing power losses and gaining efficiency mainly for zero-watt standby applications. The STD80N240K6 is optimized for lighting applications based on flyback topology, such as LED drivers and HID lamps. The device is also ideal for adapters and power supplies for flat-panel displays.