NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Sonuçlar: 4
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Seri
Paketleme

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Veri Sayfası
23Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Veri Sayfası
1.148Fabrika Stokları Mevcut
Daha Fazla Bilgi Mevcut
Min.: 28
Çoklu.: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Veri Sayfası
56Fabrika Stokları Mevcut
Daha Fazla Bilgi Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Veri Sayfası
168Fabrika Stokları Mevcut
Daha Fazla Bilgi Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray