SH63N65DM6AG

STMicroelectronics
511-SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 195

Stok:
195 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (200'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
18,89 € 18,89 €
14,96 € 149,60 €
10,84 € 1.084,00 €
Tam Makara (200'in katları olarak sipariş verin)
10,84 € 2.168,00 €
9,39 € 3.756,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
2 Channel
650 V
53 A
64 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
424 W
Enhancement
AQG 324
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Dual
Düşüş Zamanı: 8 ns
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 8 ns
Fabrika Paket Miktarı: 200
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 68 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 28 ns
Birim Ağırlık: 8,200 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SH63N65DM6AG Power MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Power MOSFET is an automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑bridge topology power MOSFET offering 650V blocking voltage. This power MOSFET is AQG 324 qualified and comes in an ACEPACK SMIT low inductance package. The SH63N65DM6AG power MOSFET features very low switching energies, low thermal resistance, and a 3.4kVrms/min isolation rating. This power MOSFET has a dice-on Direct Bond Copper (DBC) substrate that helps the package offer low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The SH63N65DM6AG MOSFET comes in a package with high design flexibility enabling several configurations, including phase-legs, boost, and single-switch through different combinations of internal power switches. This power MOSFET is ideal for switching applications.