TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

Sonuçlar: 11
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
Veri Sayfası
438Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Veri Sayfası
450Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
450Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
435Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
448Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
Veri Sayfası
446Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
450Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
447Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Veri Sayfası
448Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
661Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Veri Sayfası
445Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement