EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

Sonuçlar: 31
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Paketleme
Vishay / Siliconix MOSFET'ler 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET'ler N-CHANNEL 600V
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1
Si
Vishay / Siliconix MOSFET'ler 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 55 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET'ler 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20.3 A 148 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET'ler 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET'ler 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube