F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı 25 C'de Sürekli Kollektör Akımı Kapı Verici Kaçak Akımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Paketleme
Infineon Technologies IGBT Modülleri 650 V, 200 A 3-level IGBT module Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 650 V, 200 A 3-level IGBT module Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 18
Çoklu.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modülleri 650 V, 200 A 3-level IGBT module Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 18
Çoklu.: 18

Tray