Sonuçlar: 7
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün
Yapılandırma
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı
Kapı Verici Kaçak Akımı
Paket / Kasa
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Paketleme
Infineon Technologies IGBT Modülleri 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
Veri Sayfası
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1700 V, 600 A dual IGBT module
Veri Sayfası
24Stokta Var
8Beklenen 11.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Veri Sayfası
29Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 800 A dual IGBT module
Veri Sayfası
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 800 A dual IGBT module
Veri Sayfası
28Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 450 A dual IGBT module
Veri Sayfası
32Beklenen 11.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 600 A dual IGBT module
Veri Sayfası
32Beklenen 11.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray