STP80N450K6

STMicroelectronics
511-STP80N450K6
STP80N450K6

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 229

Stok:
229 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
13 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
229'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,80 € 3,80 €
2,05 € 20,50 €
1,85 € 185,00 €
1,52 € 760,00 €
1,40 € 1.400,00 €
1,37 € 3.425,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
Enhancement
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ürün Tipi: MOSFETs
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET is a very high voltage N-channel Power MOSFET designed using the ultimate MDmesh K6 technology. This technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.