STD12N60DM2AG

STMicroelectronics
511-STD12N60DM2AG
STD12N60DM2AG

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,74 € 2,74 €
1,78 € 17,80 €
1,31 € 131,00 €
1,10 € 550,00 €
1,07 € 1.070,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
0,894 € 2.235,00 €
0,862 € 4.310,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
440 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 9.5 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 8 ns
Seri: STD12N60DM2AG
Fabrika Paket Miktarı: 2500
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 30 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 15 ns
Birim Ağırlık: 330 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is a part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diodes. This automotive-grade N-channel power MOSFET offers very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr) combined with low RDS(on). This power MOSFET features low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is suitable for demanding high-efficiency converters and for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.