STGHU30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 540

Stok:
540
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
600
Beklenen 20.04.2026
Fabrika Teslim Süresi:
15
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (600'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
3,81 € 3,81 €
2,53 € 25,30 €
1,79 € 179,00 €
Tam Makara (600'in katları olarak sipariş verin)
1,44 € 864,00 €
1,39 € 1.668,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
HU3PAK-7
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks: 57 A
Kapı Verici Kaçak Akımı: 250 nA
Ürün Tipi: IGBTs
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Birim Ağırlık: 2,320 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is developed using an advanced trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG offers an ideal balance of inverter performance and efficiency, with low power loss and short-circuit protection. The positive VCE(sat) temperature coefficient and consistent parameter distribution enhance safe paralleling operation.