QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz 46Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged
100Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W