FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module

Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module is a 3.3kV, 450A Dual Insulated Gate Bipolar Transistor Module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and an emitter controlled diode. Designed specifically for high-power operations, the highly integrated XHP IGBT Modules cover the full-voltage range of IGBT chips from 3.3kV to 6.5kV. Sharing the same compact 140mm x 100mm x 40mm dimensions, these IGBT Modules allow for scalable design with best-in-class reliability and high power density. The FF450R33T3E3B5 IGBT module features enhanced isolation of 10.4kV.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı 25 C'de Sürekli Kollektör Akımı Kapı Verici Kaçak Akımı Pd - Güç Dağılımı Paket / Kasa Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Paketleme
Infineon Technologies IGBT Modülleri 3300 V, 450 A dual IGBT module
4Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri XHP HV
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 13 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray