EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Ürt.:

Açıklama:
Güç Yönetimi IC Geliştirme Araçları Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.

Stokta Var: 16

Stok:
16 Hemen Gönderilebilir
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 5
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
51,59 € 51,59 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Güç Yönetimi IC Geliştirme Araçları
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Marka: STMicroelectronics
Boyutlar: 56 mm x 79 mm
Paketleme: Bulk
Ürün Tipi: Power Management IC Development Tools
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: Development Tools
Birim Ağırlık: 100 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

USHTS:
8473301180
TARIC:
8473302000

EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board is easy to use, as well as quick and suitable for evaluating the characteristics of the STDRIVEG212 driving two 2.2mΩ (typical), 100V emode GaN switches in a half-bridge configuration. The STDRIVEG212 is a 220V high-speed half-bridge gate driver optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. It features separated high-current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, undervoltage, bootstrap diode, high-side fast startup, overtemperature, fault/shutdown pins, and standby to fully support hard-switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package. The EVLSTDRIVEG212 board is also suitable for evaluating the STDRIVEG612 features.