Sonuçlar: 11
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
887Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
3.495Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
8.123Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
476Stokta Var
2.000Beklenen 24.09.2026
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
423Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
1.700Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
437Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
1.211Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
725Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
889Stokta Var
1.000Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Veri Sayfası
1.973Beklenen 14.05.2026
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement