IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Sonuçlar: 10
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün
Yapılandırma
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı
Kapı Verici Kaçak Akımı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Paketleme
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 900 A dual IGBT module
Veri Sayfası
6Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 450 A dual IGBT module
Veri Sayfası
17Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 300 A dual IGBT module
Veri Sayfası
25Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Veri Sayfası
2Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 600 A dual IGBT module
Veri Sayfası
18Stokta Var
20Beklenen 6.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 900 A dual IGBT module
Veri Sayfası
10Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 900 A dual IGBT module
Veri Sayfası
20Beklenen 28.04.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Hayır
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri PP IHM I
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1200 V, 750 A dual IGBT module
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 10
Çoklu.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modülleri 1700 V, 750 A dual IGBT module
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 10
Çoklu.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray