Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

TP65B110HRU-TR

Name: Renesas Electronics TP65B110HRU-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65B110HRU-TR
Price: 6.86 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

227-TP65B110HRU-TR

Ürt. Numarası:

TP65B110HRU-TR

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

TP65B110HRU-TR Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Renesas Electronics TP65B110HRU-TR hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Renesas Electronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Ticari Unvan:	SuperGaN
Marka:	Renesas Electronics
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Ürün Tipi:	GaN FETs
Seri:	TP65B110HRU
Fabrika Paket Miktarı:	1500
Alt kategori::	Transistors

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TP65B110HRU-TR Veri Sayfası (PDF)

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Malezya
Montaj Ülkesi:: Malezya
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS)

Renesas Electronics TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS) is a 650V and 110mΩ normally-off Gallium Nitride (GaN) BDS in a compact TOLT package. This BDS conducts current and blocks voltage in both directions, combining a high-voltage depletion-mode GaN with low-voltage normally-off silicon MOSFETs. The TP65B110HRU BDS is based on the SuperGaN^® Gen 1 bidirectional platform. This BDS delivers superior performance, standard gate‑drive compatibility, easy integration, and robust reliability. The TP65B110HRU BDS offers breakthrough integration, resulting in reduced component count, lower cost, and a smaller footprint. This BDS enables ultra-fast switching, high efficiency, and higher power density, and is ideal for MHz-class operation and compact magnetics. Typical applications include PV inverters, battery chargers, AI datacenter and telecom power supplies, motor drives, and UPS.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

RENESAS ELECTRONICS

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS)

650V and 110mΩ normally-off Gallium Nitride (GaN) BDS in a compact TOLT package.

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS) hakkında daha fazla bilgi

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

These FETs come in TOLT, TO247, and TOLL packages and use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform.

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs hakkında daha fazla bilgi

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

50mΩ gallium nitride (GaN) normally-off device available in 4 Lead TO-247 package.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET hakkında daha fazla bilgi

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

72mΩ R_DS(on) in top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC-standard (MO-332).

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT hakkında daha fazla bilgi

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

A 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance.

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET hakkında daha fazla bilgi

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 1.189

Beklenen 18.09.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 16

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (1500'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	6,86 €	6,86 €
	4,83 €	48,30 €
	3,91 €	391,00 €
	3,47 €	1.735,00 €
	2,87 €	2.870,00 €
Tam Makara (1500'in katları olarak sipariş verin)
	2,80 €	4.200,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

TP65B110HRU-TR

Ürt.: Renesas Electronics

Açıklama: GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

Teknik Özellikler

Belgeler (1)

Veri Sayfası

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

Gen IV SuperGaN® FETs

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS)

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER RENESAS ELECTRONICS

Stok Durumu

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

RENESAS ELECTRONICS