DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Sonuçlar: 113
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme

Toshiba MOSFET'ler MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Veri Sayfası
3Stokta Var
30Beklenen 17.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 105 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
5Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
Veri Sayfası
50Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Veri Sayfası
9Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Veri Sayfası
85Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
Veri Sayfası
13Stokta Var
50Beklenen 16.03.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
Veri Sayfası
25Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Veri Sayfası
40Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler N-Ch Power MOSFET Transistor
Veri Sayfası
57Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 160 nC + 150 C 400 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Veri Sayfası
25Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
Veri Sayfası
104Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Veri Sayfası
10Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Veri Sayfası
169Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Veri Sayfası
197Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
86Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
Veri Sayfası
44Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
114Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 640 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
Veri Sayfası
709Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
446Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
Veri Sayfası
144Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ
Veri Sayfası
40Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Veri Sayfası
80Beklenen 15.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Veri Sayfası
30Beklenen 20.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube