DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Sonuçlar: 113
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 18 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
Makara: 5.000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube