DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Sonuçlar: 113
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 105 nC 230 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 795 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET'ler DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 32 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel