NXH040P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH040P120MNF1 SiC Module contains a 40Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18V to 20V. The NXH040P120MNF1 features an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Seri
Paketleme

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Veri Sayfası
56Fabrika Stokları Mevcut
Daha Fazla Bilgi Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 30 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 113 W NXH040P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Veri Sayfası
84Fabrika Stokları Mevcut
Daha Fazla Bilgi Mevcut
Min.: 28
Çoklu.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH040P120MNF1 Tray