60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs

IXYS 60V TrenchT3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are ultra-low on-resistance, rugged devices designed for industrial power conversion applications. TrenchT3 HiPerFET MOSFETs offer on-resistance as low as 3.1mΩ and withstand a junction temperature up to +175°C. The series is also avalanche rated at high avalanche current levels. Due to the high-current carrying capability of the TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs, paralleling multiple devices may not be necessary. This simplifies the power system and improves its reliability at the same time. The fast intrinsic body diode of TrenchT3 HiPerFET MOSFETs helps achieve high efficiency, especially during high-speed switching. IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs are available in TO-220, TO-263, and TO-247 international standard size packages for design flexibility.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Paketleme

IXYS MOSFET'ler 60V/220A TrenchT3 Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET'ler 60V/270A TrenchT3 Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube