Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 5.68 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-SIEH4800EW-T1-GE3

Ürt. Numarası:

SIEH4800EW-T1-GE3

Ürt.:

Vishay

Açıklama:

MOSFET'ler N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

SIEH4800EW-T1-GE3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay SIEH4800EW-T1-GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerPAK-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	80 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	34 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	1.15 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	278 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	3.4 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Vishay
Düşüş Zamanı:	30 ns
İleri İletkenlik - Min:	150 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	40 ns
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	45 s
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	140 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SIEH4800EW-T1-GE3 Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Tayvan
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^® Gen IV N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. Housed in a compact PowerPAK^® 8mm x 8mm bond wireless (BWL) package, the SiEH4800EW delivers an exceptionally low on-resistance of 0.00115Ω at a V_GS of 10V, minimizing conduction losses and improving thermal performance. With a maximum continuous drain current of 260A and a low gate charge of 117nC, the Vishay / Siliconix MOSFET is optimized for fast switching and high-current handling, making it ideal for use in synchronous rectification, motor drives, and high-performance DC-DC converters. A rugged design and advanced trench technology ensure reliable operation in demanding environments.