N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

Sonuçlar: 12
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Paketleme
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
2.575Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
23Stokta Var
1.000Beklenen 17.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
1.003Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
1.047Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
Veri Sayfası
364Stokta Var
2.500Beklenen 17.08.2026
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
Veri Sayfası
816Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
1.062Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
888Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
Veri Sayfası
229Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube


STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Veri Sayfası
75Stokta Var
1.000Beklenen 21.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 13 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET'ler N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 13 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube