W957D8MFYA5I TR

Winbond
454-W957D8MFYA5ITR
W957D8MFYA5I TR

Ürt.:

Açıklama:
DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

Yaşam Döngüsü:
Fabrika ile Durumu Doğrulayın:
Yaşam döngüsü bilgileri belirsizdir. Bu parça numarasının kullanılabilirliğini doğrulamak için üreticiden bir fiyat teklifi alın.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.945

Stok:
1.945 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
53 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
1945'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 100
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,58 € 6,58 €
Tam Makara (2000'in katları olarak sipariş verin)
6,58 € 13.160,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Winbond
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
TFBGA-24
16 M x 8
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Marka: Winbond
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 2000
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Tayvan
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.