NVXK2TR40WXT

onsemi
863-NVXK2TR40WXT
NVXK2TR40WXT

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Yaşam Döngüsü:
Mouser'da Yeni
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 44

Stok:
44 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
65,47 € 65,47 €
54,46 € 544,60 €
49,60 € 5.952,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: MOSFET Modules
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
27 A
59 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 55 C
+ 175 C
319 W
NVXK2TR40WXT
Tube
Marka: onsemi
Yapılandırma: Dual Half-Bridge
Düşüş Zamanı: 9 ns
Yükseklik: 5.8 mm
Uzunluk: 44.2 mm
Ürün Tipi: MOSFET Modules
Yükseliş zamanı: 20 ns
Fabrika Paket Miktarı: 60
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Ticari Unvan: EliteSiC
Tip: Half-Bridge
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 30 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 17 ns
Genişlik: 29 mm
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8504409100
ECCN:
EAR99

NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 40mΩ, and 27A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR40WXT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET power module is ideally used in DC-DC and onboard chargers in xEV applications.