Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 21.16 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NXVF6532M3TG01

Ürt. Numarası:

NXVF6532M3TG01

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Yaşam Döngüsü:

Fabrika Özel Siparişi:

Üreticinin mevcut fiyatını, teslimat süresini ve sipariş gereksinimlerini doğrulamak için bir fiyat teklifi alın.

Veri Sayfası:

NXVF6532M3TG01 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NXVF6532M3TG01 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	APM-16
Kanal Sayısı:	4 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	31 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	44 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	58 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	65.2 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Quad
Düşüş Zamanı:	9.2 ns
İleri İletkenlik - Min:	12 S
Paketleme:	Tube
Ürün:	MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	6 ns
Seri:	NXVF6532M3TG01
Alt kategori::	Transistors
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Transistör Tipi:	4 N-Channel
Tip:	Half Bridge
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	33.2 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	8.4 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NXVF6532M3TG01 Veri Sayfası (PDF)

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Kore Cumhuriyeti
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 95

Stok:: 95 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 29 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

95'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	21,16 €	21,16 €
	19,93 €	199,30 €
100	Fiyat Teklifi

NXVF6532M3TG01

Ürt.: onsemi

Açıklama: SiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Teknik Özellikler

Belgeler (1)

Veri Sayfası

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER ONSEMI

Stokta Var: 95

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI