MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

Sonuçlar: 4
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Yapılandırma
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks
Kollektör - Temel Voltaj VCBO
Verici - Temel Voltaj VEBO
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı
Pd - Güç Dağılımı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Vasıf
Paketleme
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Veri Sayfası
4.777Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 290
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Veri Sayfası
908Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Veri Sayfası
275Stokta Var
2.500Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 490
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Veri Sayfası
8Stokta Var
5.000Beklenen 22.02.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape