MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

Sonuçlar: 4
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Yapılandırma Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks Kollektör - Temel Voltaj VCBO Verici - Temel Voltaj VEBO Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı Pd - Güç Dağılımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Vasıf Paketleme
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 5.679Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1.061Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1.040Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistörler - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
2.395Beklenen 29.04.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape