Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 402.39 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-CGH09120F

Ürt. Numarası:

CGH09120F

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Veri Sayfası:

CGH09120F Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM CGH09120F hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	402,39 €	402,39 €
	336,94 €	3.369,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Screw Mount
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	120 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	28 A
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	- 3 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	56 W
Marka:	MACOM
Yapılandırma:	Single
Kazanç:	21 dB
Maksimum Tahliye Kapısı Voltajı:	28 V
Maksimum Çalışma Frekansı:	2.5 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	300 MHz
Çıkış Gücü:	20 W
Paketleme:	Tray
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	20
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	GaN HEMT
Vgs - Kapı Kaynağı Arıza Voltajı:	- 10 V, 2 V

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CGH09120F Veri Sayfası (PDF)

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Amerika Birleşik Devletleri
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.