5G RF JFETs & LDMOS FETs

MACOM 5G RF Junction Field Effect Transistors (JFETs) and Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor (LDMOS) FETs are thermally enhanced high-power transistors for the next generation of wireless transmission. These devices feature GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) technology, input matching, high efficiency, and a thermally enhanced surface-mount package with an earless flange. MACOM 5G RF JFETs and LDMOS FETs are ideal for multi-standard cellular power amplifier applications. 

Yarı İletken Çeşitleri

Kategori görünümünü değiştir
Sonuçlar: 8
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS
MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
50Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

MACOM RF MOSFET Transistörler 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 250

MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
40Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
40Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

MACOM RF MOSFET Transistörler 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz Stokta Yok
Min.: 50
Çoklu.: 50
Makara: 50