A5Gx Airfast RF Güç GaN Transistörleri

NXP Semiconductors  A5Gx Airfast RF Güç GaN Transistörleri 85 W ve 112 W asimetrik Doherty RF güç GaN transistörleridir. NXP Semiconductors  A5Gx transistörleri, geniş bant genişliğine ihtiyaç duyan hücresel baz istasyonları için idealdir. Cihazların performansı, her bir parça için belirtilen frekans aralığı içinde garanti edilmesine karşın bu aralığın dışında garanti edilmemektedir.

Sonuçlar: 6
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Veri Sayfası
90Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
158Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
45Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250



NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Veri Sayfası
25Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
48Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
22Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C