GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMTs

Nexperia GANB1R2-040QBA and GANB012-040CBA GaN HEMTs are 40V, 1.2mΩ or 12mΩ, bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistors (HEMTs).

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Nexperia GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Veri Sayfası
2.200Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

SMD/SMT WLCSP-12 P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 12 mOhms 6 V 2.4 V 7.2 nC - 40 C + 125 C 11 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Veri Sayfası
1.826Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

SMD/SMT VQFN-16 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 6 V 2.4 V 60 nC - 40 C + 125 C 105 W Enhancement