MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı İşletim Besleme Voltajı İşletim Besleme Akımı Kazanç Tip Montaj Stili Paket / Kasa Teknoloji Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Seri Paketleme
MACOM RF Amplifikatörleri Transistor,GaN,100W,CW 287Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF Amplifikatörleri Amplifier,GaN,50W,CW 84Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF Amplifikatörleri Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 28 Hafta
Min.: 250
Çoklu.: 250
Makara: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel