LMG3410R070 600V 70mΩ GaN Power Stage

Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN Power Stage with integrated driver and protection offers advantages over silicon MOSFETs. These include ultra-low input and output capacitance. Features include zero reverse recovery, which reduces switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to decrease EMI.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün
Tip
Montaj Stili
Paket / Kasa
Sürücü Sayısı
Çıkış Sayısı
Çıkış Akımı
Besleme Voltajı - Min
Besleme Voltajı - Maks
Yapılandırma
Yükseliş zamanı
Düşüş Zamanı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Seri
Paketleme
Texas Instruments Kapı Sürücüleri 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR
Veri Sayfası
236Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Kapı Sürücüleri 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 9.5 V 18 V 15 ns 4.2 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel