QPA2575TR7

Qorvo
772-QPA2575TR7
QPA2575TR7

Ürt.:

Açıklama:
RF Amplifikatörleri 32-38 GHz 3 W PA

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Bu ürünün Amerika Birleşik Devletleri'nden ihraç edilmesi için ek belgeler gerekebilir.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
15 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 250   Çoklu: 250
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (250'in katları olarak sipariş verin)
318,15 € 79.537,50 €

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Bag
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
412,23 €
Min:
1

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Qorvo
Ürün Kategorisi: RF Amplifikatörleri
Gönderim Kısıtlamaları:
 Bu ürünün Amerika Birleşik Devletleri'nden ihraç edilmesi için ek belgeler gerekebilir.
RoHS:  
QPA2575
Reel
Marka: Qorvo
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: RF Amplifier
Fabrika Paket Miktarı: 250
Alt kategori:: Wireless & RF Integrated Circuits
Parça No Takma Adları: QPA2575
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
ECCN:
3A001.b.2.d
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Amerika Birleşik Devletleri
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

QPA2575 Ka-Band Power Amplifier

Qorvo QPA2575 Ka-Band Power Amplifier operates from 32GHz to 38GHz, providing 3W of saturated power with 16% power-added efficiency and 19dB small-signal gain. To simplify system integration, the QPA2575 is fully matched to 50Ω, with integrated DC blocking caps on both I/O ports. Fabricated on the Qorvo QPHT15 0.15µm power pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor) process, the QPA2575 is ideally suited to support both commercial and defense-related applications. This device is 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with performance specifications.