Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 13.24 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NVBG070N120M3S

Ürt. Numarası:

NVBG070N120M3S

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Veri Sayfası:

NVBG070N120M3S Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NVBG070N120M3S hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.569

Stok:: 1.569 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 19 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	13,24 €	13,24 €
	9,34 €	93,40 €
	8,50 €	850,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
	8,49 €	6.792,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D2PAK-7
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	25 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	87 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.4 V
Qg - Kapı Şarjı:	57 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	172 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	8.8 ns
İleri İletkenlik - Min:	12 S
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	12 ns
Seri:	NVBG070N120M3S
Fabrika Paket Miktarı:	800
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	30 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	11 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NVBG070N120M3S Veri Sayfası

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at V_GS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.