DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
If - İleri Akım
Yapılandırma
Vf - İleri Voltaj
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Paketleme
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO
Veri Sayfası
13Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO
Veri Sayfası
20Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Tray
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 15
Çoklu.: 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Tray