Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

IXSH80N120L2KHV

Name: IXYS IXSH80N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH80N120L2KHV
Price: 10.71 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXSH80N120L2KHV

Ürt. Numarası:

IXSH80N120L2KHV

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

SiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IXSH80N120L2KHV Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXSH80N120L2KHV hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 392

Stok:: 392 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	10,71 €	10,71 €
	8,72 €	87,20 €
	7,27 €	872,40 €
	6,47 €	3.299,70 €
	6,05 €	6.171,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4L
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	79 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	39 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 5 V, + 20 V
Qg - Kapı Şarjı:	135 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	395 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	14 ns
Paketleme:	Tube
Ürün:	MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	24.4 ns
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	SiC MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	28.8 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	12.8 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXSH80N120L2KHV Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH80N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH80N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.