Euro Incoterms:FCA (Nakliye Noktası) Gümrük vergisi, gümrük ücretleri ve vergiler teslimat sırasında tahsil edilir. 60 € (EUR) üzerindeki çoğu siparişte ücretsiz gönderim
ABD Doları Incoterms:FCA (Nakliye Noktası) Gümrük vergisi, gümrük ücretleri ve vergiler teslimat sırasında tahsil edilir. $100 (USD) üzerindeki çoğu siparişte ücretsiz gönderim
Bağlantı şu anda oluşturulamıyor. Lütfen tekrar deneyin.
GEN3 1.200 V SiC MOSFET Güç Modülleri
SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [RDS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.