MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Transistör Polaritesi Teknoloji Id - Sürekli Tahliye Akımı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı İşletim Frekansı Kazanç Çıkış Gücü Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Montaj Stili Paket / Kasa Paketleme
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistörler Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistörler Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 50
Çoklu.: 50
Makara: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel