Euro Incoterms:FCA (Nakliye Noktası) Gümrük vergisi, gümrük ücretleri ve vergiler teslimat sırasında tahsil edilir. 60 € (EUR) üzerindeki çoğu siparişte ücretsiz gönderim
ABD Doları Incoterms:FCA (Nakliye Noktası) Gümrük vergisi, gümrük ücretleri ve vergiler teslimat sırasında tahsil edilir. $100 (USD) üzerindeki çoğu siparişte ücretsiz gönderim
Bağlantı şu anda oluşturulamıyor. Lütfen tekrar deneyin.
AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.