1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules

SemiQ 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules are highly efficient modules designed to boost cost-efficiency and allow more compact system-level designs. These SemiQ high-speed switching SiC MOSFETs implement a planar technology with rugged gate oxide and feature a reliable body diode. These design elements are arranged in a three-phase bridge topology. 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules also feature split DC negative terminals, press-fit terminal connections, and a Kelvin reference for stable operation. The high-power-density modules offer low switching losses and low junction-to-case thermal resistance. All parts are tested beyond 1350V with 100% wafer-level burn-in (WLBI).

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Seri
Paketleme
SemiQ MOSFET Modules 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET Modules 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray