MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Transistör Polaritesi Teknoloji Id - Sürekli Tahliye Akımı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı İşletim Frekansı Kazanç Çıkış Gücü Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Montaj Stili Paket / Kasa Paketleme
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistörler RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 370Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistörler RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 240
Çoklu.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube