Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NDSH20120C-F155

Name: onsemi NDSH20120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C-F155
Price: 8.04 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NDSH20120C-F155

Ürt. Numarası:

NDSH20120C-F155

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

Veri Sayfası:

NDSH20120C-F155 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NDSH20120C-F155 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 573

Stok:: 573 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 12 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	8,04 €	8,04 €
	5,51 €	55,10 €
	5,37 €	644,40 €
	4,15 €	2.116,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-2
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	26 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	1.2 kV
Vf - İleri Voltaj:	1.75 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	119 A
IR - Ters Akım:	2.06 uA
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	NDSH20120C-F155
Paketleme:	Tube
Marka:	onsemi
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Pd - Güç Dağılımı:	214 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Ticari Unvan:	EliteSiC
Vr - Ters Voltaj:	1.2 kV

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NDSH20120C-F155 Veri Sayfası

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

NDSH20120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH20120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. NDSH20120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.